BARE DIE & WAFER INVENTORY
2N5551
- Manufacturer
- FCH
- Format
- Die
- Dimensions
- 20 × 20 mil (guide)
NPN
BARE DIE & WAFER INVENTORY
NPN
Selection guide reference: 2N5551
NPN
| Parameter / condition / unit | Guide value |
|---|---|
| Power Dissipation · Ptot · (W) | 0.625 |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage · BVCEO · Min · (V) | 160 |
| Collector-Base Breakdown Voltage · BVCBO · Min · (V) | 180 |
| Emitter-Base Breakdown Voltage · BVEBO · Min · (V) | 6 |
| Continuous Collector Current · IC · Max · (A) | 0.6 |
| Collector Cut-off Current · ICBO · Max · (μA) | 0.05 |
| Collector Cut-off Current · ICBO · @VCB · (V) | 120 |
| DC Current Gain · HFE · Min | 80 |
| DC Current Gain · HFE · Max | 250 |
| DC Current Gain · HFE · @ IC · (mA) | 10 |
| DC Current Gain · HFE · @ VCE · (V) | 5 |
| Collector-Emitter Saturation Voltage · VCE(sat) · (V) · Max | 0.15 |
| Collector-Emitter Saturation Voltage · VCE(sat) · @IC · (mA) | 10 |
| Collector-Emitter Saturation Voltage · VCE(sat) · @IB · (mA) | 1 |
| Transition Frequency · fT · Min · (MHz) | 100 |
| Transition Frequency · fT · @IC · (mA) | 10 |
| Transition Frequency · fT · @VCE · (V) | 10 |
| Transition Frequency · fT · @f · (MHz) | 100 |
| Max Operating Junction Temperature · TJ · (°C) | 200 |