BARE DIE & WAFER INVENTORY

2N5551

Manufacturer
FCH
Format
Die
Dimensions
20 × 20 mil (guide)

NPN

Parameters

Selection guide reference: 2N5551

NPN

19 parameters
Selection guide parameters for 2N5551, a reference for 2N5551
Parameter / condition / unitGuide value
Power Dissipation · Ptot · (W)0.625
Collector-Emitter Breakdown Voltage · BVCEO · Min · (V)160
Collector-Base Breakdown Voltage · BVCBO · Min · (V)180
Emitter-Base Breakdown Voltage · BVEBO · Min · (V)6
Continuous Collector Current · IC · Max · (A)0.6
Collector Cut-off Current · ICBO · Max · (μA)0.05
Collector Cut-off Current · ICBO · @VCB · (V)120
DC Current Gain · HFE · Min80
DC Current Gain · HFE · Max250
DC Current Gain · HFE · @ IC · (mA)10
DC Current Gain · HFE · @ VCE · (V)5
Collector-Emitter Saturation Voltage · VCE(sat) · (V) · Max0.15
Collector-Emitter Saturation Voltage · VCE(sat) · @IC · (mA)10
Collector-Emitter Saturation Voltage · VCE(sat) · @IB · (mA)1
Transition Frequency · fT · Min · (MHz)100
Transition Frequency · fT · @IC · (mA)10
Transition Frequency · fT · @VCE · (V)10
Transition Frequency · fT · @f · (MHz)100
Max Operating Junction Temperature · TJ · (°C)200
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